Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті
Вчені з Фуданського Університету в Китаї створили неймовірний пристрій для зберігання даних – флеш-пам’ять PoX. Цей пристрій може записувати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд, що робить його набагато швидшим за сучасні технології пам’яті, такі як SRAM і DRAM. Використання алгоритмів штучного інтелекту дозволило вченим оптимізувати тестування і прискорити розвиток цієї технології. Тепер […]
Продовжити читання