Вчені з Фуданського Університету в Китаї створили неймовірний пристрій для зберігання даних – флеш-пам’ять PoX. Цей пристрій може записувати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд, що робить його набагато швидшим за сучасні технології пам’яті, такі як SRAM і DRAM. Використання алгоритмів штучного інтелекту дозволило вченим оптимізувати тестування і прискорити розвиток цієї технології. Тепер команда дослідників працює над тим, як зробити PoX комерційно доступним продуктом. Результати їх досліджень були опубліковані у журналі Nature.
